Diâmetro Ultra-pequeno 25.4 mm na Carcaça Lustrada de Polegada Semicondutor de Alta Pureza Única Bolacha de Silício de Cristal
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Ficha técnica do produto
| Características | Especificações |
|---|---|
| Origem | CN (origem) |
Nome do produto:1 polegada bolacha de silício polido de um lado
Modo de crescimento: czochralski único cristal (cz)
Diâmetro e tolerância:25.4 ± 0.4 milímetros
Tipo de Doping:N-type (dopado com fósforo, arsênico e antimônio) p-type (dopado com boro)
Cristal direção:<100><111>
Resistividade:0.001-50 (Omega; e bull; cm) pode ser personalizado de acordo com as exigências do cliente
Dados do processo:Nivelamento tir: <3m m, torção ttv: <10m m, curva de curvatura <10m m, aspereza 0.5 nm, tamanho de partícula; 10 (para tamanho; 0.3m m);
E processamento de personalização:Os clientes precisam de parâmetros diferentes, tais como modelo, orientação, espessura, resistividade, etc. o ciclo de processamento depende das especificações e parâmetros da duração do projeto de 1-3 semanas.
Introdução para Uso:Pode ser usado para analisar e testar substratos tais como portadores da amostra da radiação de synchrotron, revestimentos de pvd/cvd como substratos, magnétron que engasga amostras do crescimento, xrd, sem, força atômica, espectroscopia infravermelha, espectroscopia de fluorescência, substratos de crescimento de epitaxia de feixe molecular, semicondutores de cristal de análise de raios x, etc.
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